BSB044N08NN3G

BSB044N08NN3 G
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BSB044N08NN3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：90A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.4 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 97µ
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：73nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 40V
功率 - 最大值：78W
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-WDSON
供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?